RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Comparar
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
27
Por volta de -8% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.4
11.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
16.1
7.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
25
Velocidade de leitura, GB/s
11.8
19.4
Velocidade de escrita, GB/s
7.3
16.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2057
3912
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Comparações de RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link