RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gesamtnote
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
87
Rund um -200% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
87
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,155.6
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
12.6
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
417
3291
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link