RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Comparar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Pontuação geral
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
870.4
12.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
29
87
Por volta de -200% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
87
29
Velocidade de leitura, GB/s
3,155.6
16.0
Velocidade de escrita, GB/s
870.4
12.6
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
417
3291
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
Kingston K821PJ-MIH 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link