RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
8.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
87
Rund um -164% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
87
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,155.6
11.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
8.3
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
417
2227
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB RAM-Vergleiche
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link