RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
11.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
8.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
87
Wokół strony -164% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
33
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
11.6
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
2227
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link