RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Kingston XCCT36-MIE 16GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gesamtnote
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
16.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
87
Rund um -211% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
87
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,155.6
17.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
16.9
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
417
3795
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Kingston XCCT36-MIE 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4600C18 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link