RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
18
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
14.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
87
Rund um -190% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
87
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,155.6
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
14.3
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
417
3466
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB RAM-Vergleiche
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link