A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB

Gesamtnote
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB

Gesamtnote
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Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB

Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB

Unterschiede

A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4 left arrow 18.5
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    2,061.2 left arrow 13.8
    Durchschnittswert bei den Tests
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    33 left arrow 46
    Rund um -39% geringere Latenzzeit
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    25600 left arrow 6400
    Rund um 4 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    46 left arrow 33
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4,937.3 left arrow 18.5
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    2,061.2 left arrow 13.8
  • Speicherbandbreite, mbps
    6400 left arrow 25600
Other
  • Beschreibung
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    759 left arrow 3341
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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