RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
10.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
87
Rund um -235% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
87
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,155.6
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
10.9
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
417
2370
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link