RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Gesamtnote
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
76
Rund um 54% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.1
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Rund um 1.25 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
76
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.9
7.9
Speicherbandbreite, mbps
17000
21300
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2126
1859
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB RAM-Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Kingston 99U5469-046.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link