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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Gesamtnote
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
76
Rund um 54% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.1
9.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Rund um 1.25 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
35
76
Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.8
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.9
7.9
Speicherbandbreite, mbps
17000
21300
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2126
1859
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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