RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB против Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
76
Около 54% меньшая задержка
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.1
9.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
76
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
15.1
Скорость записи, Гб/сек
7.9
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
21300
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2126
1859
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link