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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
比較する
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
総合得点
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
35
76
周辺 54% 低遅延
考慮すべき理由
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
15.1
9.8
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
17000
周辺 1.25 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
35
76
読み出し速度、GB/s
9.8
15.1
書き込み速度、GB/秒
7.9
7.9
メモリ帯域幅、mbps
17000
21300
Other
商品説明
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2126
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Frequency (Mhz) *
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0 ns
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