RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gesamtnote
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
14.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
10.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
87
Rund um -142% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
87
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,155.6
14.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
10.0
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
417
2490
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link