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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
10.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
87
左右 -142% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
36
读取速度,GB/s
3,155.6
14.7
写入速度,GB/s
870.4
10.0
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2490
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
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Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
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