RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gesamtnote
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
87
Rund um -172% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
87
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,155.6
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
10.6
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
417
2900
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link