RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
关于本网站
zh
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB

总分
star star star star star
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

总分
star star star star star
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB

Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB

差异 规格 评论

差异

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB 需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    3 left arrow 15.6
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    870.4 left arrow 10.6
    测试中的平均数值
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB 需要考虑的原因
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    32 left arrow 87
    左右 -172% 更低的延时
  • 更高的内存带宽，mbps
    19200 left arrow 5300
    左右 3.62 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    87 left arrow 32
  • 读取速度，GB/s
    3,155.6 left arrow 15.6
  • 写入速度，GB/s
    870.4 left arrow 10.6
  • 内存带宽，mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • 描述
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    417 left arrow 2900

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较

takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB

Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB RAM的比较

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新比较

AMD R538G1601U2S 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
内存RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
内存RAM
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
内存RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
内存RAM
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
内存RAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
内存RAM
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
内存RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
内存RAM
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
内存RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
内存RAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
内存RAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
内存RAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
内存RAM
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
内存RAM