TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

Gesamtnote
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Gesamtnote
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Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB

Unterschiede

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    3 left arrow 16
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    870.4 left arrow 12.3
    Durchschnittswert bei den Tests
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    30 left arrow 87
    Rund um -190% geringere Latenzzeit
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    23400 left arrow 5300
    Rund um 4.42 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    87 left arrow 30
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    3,155.6 left arrow 16.0
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    870.4 left arrow 12.3
  • Speicherbandbreite, mbps
    5300 left arrow 23400
Other
  • Beschreibung
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    417 left arrow 2709
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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