RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
12.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
87
Wokół strony -190% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
5300
Wokół strony 4.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
23400
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
2709
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2400C16 32GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link