RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
28
Wokół strony 11% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
28
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3537
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link