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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
28
Por volta de 11% menor latência
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18
16.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.1
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
28
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
18.0
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
14.1
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
3537
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
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