RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gesamtnote
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
21.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
16.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
87
Rund um -142% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
5300
Rund um 4.83 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
87
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,155.6
21.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
16.8
Speicherbandbreite, mbps
5300
25600
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
417
3610
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
SK Hynix HMA851U6DJR6N-WM 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link