RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Comparar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Pontuação geral
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
21.3
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
870.4
16.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
87
Por volta de -142% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
5300
Por volta de 4.83 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
87
36
Velocidade de leitura, GB/s
3,155.6
21.3
Velocidade de escrita, GB/s
870.4
16.8
Largura de banda de memória, mbps
5300
25600
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
417
3610
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link