RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
11.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
87
Rund um -263% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
87
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,155.6
15.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
11.3
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
417
2370
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8X 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMD32GX4M4A2800C16 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW32GX4M4Z3200C16 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link