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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
比较
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
总分
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
870.4
11.3
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
87
左右 -263% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
5300
左右 3.21 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
87
24
读取速度,GB/s
3,155.6
15.0
写入速度,GB/s
870.4
11.3
内存带宽,mbps
5300
17000
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
417
2370
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM的比较
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kllisre D4 8G 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
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