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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
比较
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
总分
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
27
左右 -13% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.3
7.3
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
24
读取速度,GB/s
11.8
15.0
写入速度,GB/s
7.3
11.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2057
2370
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
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