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G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
比较
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
总分
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
总分
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
39
左右 28% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
17.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.5
10.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
10600
左右 1.81 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
39
读取速度,GB/s
18.2
17.5
写入速度,GB/s
11.5
10.6
内存带宽,mbps
10600
19200
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
3067
2600
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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMR128GX4M8Z2933C16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z2400C16 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
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