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A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
比较
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB vs Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
总分
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
总分
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
28
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
19.9
9.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.9
4.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
28
读取速度,GB/s
9.8
19.9
写入速度,GB/s
4.6
14.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1560
3732
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB RAM的比较
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Frequency (Mhz) *
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Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9905624-018.A00G 8GB
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Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
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