RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
87
Rund um -222% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
87
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,155.6
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
870.4
12.5
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
417
3223
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Nanya Technology M2S4G64CB8HB5N-CG 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link