RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Comparar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Pontuação geral
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
17.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
870.4
12.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
87
Por volta de -222% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
87
27
Velocidade de leitura, GB/s
3,155.6
17.5
Velocidade de escrita, GB/s
870.4
12.5
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
417
3223
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link