TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB

Gesamtnote
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Gesamtnote
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Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB

Unterschiede

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    3 left arrow 16.7
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    870.4 left arrow 9.0
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    67 left arrow 87
    Rund um -30% geringere Latenzzeit
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 5300
    Rund um 3.21 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    87 left arrow 67
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    3,155.6 left arrow 16.7
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    870.4 left arrow 9.0
  • Speicherbandbreite, mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    417 left arrow 1879
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RAM 1
RAM 2

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