RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Porównaj
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Wynik ogólny
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
870.4
9.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
67
87
Wokół strony -30% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
87
67
Prędkość odczytu, GB/s
3,155.6
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
870.4
9.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
417
1879
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link