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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
53
Rund um -121% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.8
1,590.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
53
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,726.4
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,590.1
10.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
522
2601
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM-Vergleiche
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Golden Empire CL17-17-17 D4-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
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