RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Vergleichen Sie
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB vs Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Gesamtnote
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
16.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
96
Rund um -231% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.0
1,336.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
96
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,725.2
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,336.0
13.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
438
3221
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS1GB264C081805QI 1GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905625-139.A00G 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link