Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB

Gesamtnote
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Gesamtnote
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Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB

Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB

Unterschiede

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    3 left arrow 16.2
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    2,622.0 left arrow 13.0
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    29 left arrow 77
    Rund um -166% geringere Latenzzeit
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    21300 left arrow 5300
    Rund um 4.02 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    77 left arrow 29
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    3,405.2 left arrow 16.2
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    2,622.0 left arrow 13.0
  • Speicherbandbreite, mbps
    5300 left arrow 21300
Other
  • Beschreibung
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    763 left arrow 3221
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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