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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
53
Rund um -56% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.2
1,590.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
53
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,726.4
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,590.1
12.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
522
2963
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM-Vergleiche
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
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