RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
14.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
53
Rund um -66% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.8
1,590.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
53
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,726.4
14.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,590.1
10.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
522
2399
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM-Vergleiche
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link