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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Gesamtnote
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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Gründe für die Berücksichtigung
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
42
62
Rund um -48% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.1
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.5
5.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
42
Lesegeschwindigkeit, GB/s
7.4
13.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.9
11.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1612
2525
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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