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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Pontuação geral
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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Razões a considerar
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
42
62
Por volta de -48% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.1
7.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.5
5.9
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
62
42
Velocidade de leitura, GB/s
7.4
13.1
Velocidade de escrita, GB/s
5.9
11.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1612
2525
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparações de RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
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