RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
42
62
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.1
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.5
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
42
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
13.1
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
2525
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Samsung M393B2G70QH0-CMA 16GB
JUHOR JHC1600U1108JY 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link