RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
62
Около -48% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.1
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.5
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
42
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
13.1
Скорость записи, Гб/сек
5.9
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
2525
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GVK 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link