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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Punteggio complessivo
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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Motivi da considerare
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
42
62
Intorno -48% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.1
7.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.5
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
62
42
Velocità di lettura, GB/s
7.4
13.1
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
11.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1612
2525
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
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