RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Comparar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Pontuação geral
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Pontuação geral
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
27
Por volta de 7% menor latência
Razões a considerar
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.5
16.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.0
10.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
23400
12800
Por volta de 1.83 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
25
27
Velocidade de leitura, GB/s
16.1
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
10.1
12.0
Largura de banda de memória, mbps
12800
23400
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2764
3245
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DX0-YK0 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3600C18 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link