RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Confronto
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Punteggio complessivo
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Punteggio complessivo
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
27
Intorno 7% latenza inferiore
Motivi da considerare
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.5
16.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
10.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
23400
12800
Intorno 1.83 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
27
Velocità di lettura, GB/s
16.1
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
10.1
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
23400
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2764
3245
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Confronto tra le RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link