RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gesamtnote
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
53
68
Rund um 22% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.4
1,590.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
53
68
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,726.4
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,590.1
7.4
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
522
1826
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM-Vergleiche
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2133C13 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X8GE2400C15K4 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link