RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
53
Rund um -66% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.3
1,590.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
53
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,726.4
17.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,590.1
14.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
522
3208
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM-Vergleiche
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link