RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Сравнить
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB против Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
-->
Средняя оценка
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
17.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
53
Около -66% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.3
1,590.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
53
32
Скорость чтения, Гб/сек
3,726.4
17.3
Скорость записи, Гб/сек
1,590.1
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
522
3208
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB Сравнения RAM
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link