RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
53
Rund um -89% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.3
1,590.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
53
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,726.4
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,590.1
15.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
522
3673
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM-Vergleiche
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link