RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gesamtnote
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
53
Rund um -112% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.7
1,590.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
53
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,726.4
17.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,590.1
13.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
522
2994
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM-Vergleiche
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M8FB1 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link