RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gesamtnote
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
53
77
Rund um 31% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
13.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.5
1,590.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
53
77
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,726.4
13.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,590.1
5.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
522
1440
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM-Vergleiche
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB RAM-Vergleiche
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link