RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Vergleichen Sie
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Gesamtnote
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
38
53
Rund um -39% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
9.4
3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
1,590.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
53
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,726.4
9.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,590.1
8.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
522
2110
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB RAM-Vergleiche
Swissbit SEU25664D6BC2EP-30 2GB
Micron Technology 9HTF12872JY80EE1D4 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Apacer Technology 78.CAGQE.C750B 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF-2400 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
ASint Technology SSA302G08-GGNHC 4GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905663-012.A00G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link